三菱IGBT模块

A系列特点:a)采用最新的CSTBT硅片技术；b)低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；c)降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；d)采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；e)比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。用途:低成本设计，适合中、低端型号模块结构及参数型号模块结构及参数CM400HA-24A一单元，400A/1200VCM600。 详细介绍>>